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参数资料
| 型号： | FDB13AN06A0 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 62A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13.5 毫欧 @ 62A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 115W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB13AN06A0DKR |
January 201 4
FDB13AN06A0
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
60 V, 62 A, 13.5 m Ω
Features
? r DS(on) = 11.5 m ? ( Typ.) @ V GS = 10 V, I D = 62 A
? Q g (tot) = 22 nC ( Typ.) @ V GS = 10 V
? Low Miller Charge
Applications
? Motor Load Control
? DC-DC converters and Off-line UPS
? Distributed Power Architectures and VRMs
? Low Q rr Body Diode
? UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Formerly developmental type 82 555
D
D
G
S
D 2 -PAK
G
S
MOSFET Maximum Ratings T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
60
± 20
Units
V
V
Drain Current
Continuous (T C = 25 o C, V GS = 10V)
62
A
C
I D
E AS
P D
T J , T STG
Continuous (T C = 100 o C, V GS = 10V)
Continuous (T A = 25 o C, V GS = 10V, R θ JA = 43 o C/W)
Pulsed
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)
Power dissipation
Derate above 25 o C
Operating and Storage Temperature
44
10.9
Figure 4
56
115
0.77
-55 to 175
A
A
A
mJ
W
W/ o C
o
Thermal Characteristics
Thermal Resistance Junction to Ambient, 1in copper pad area
R θJC
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance Junction to Case
Thermal Resistance Junction to Ambient (Note 2)
2
1.3
62
43
o
o
o
C/W
C/W
C/W
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB13AN06A0 Rev. C2
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 86-1-S-VLT | TERMINAL NAILCLIP 10PK VIOLET |
| Q8P3BXXG24 | PANEL MNT LED INDICATOR GRN 24V |
| Q8R1CXXW12E | INDICATOR 12V 8MM RECESSED WHT |
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| NCP15XF101J03RC | THERMISTOR 100 OHM NTC 0402 SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB13AN06A0_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB14AN06L_F085 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 60A, 14.6mW |
| FDB14AN06LA0 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB14AN06LA0_F085 | 功能描述:MOSFET 60V N-CHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB14N30 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET |
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