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参数资料
| 型号： | FDB13AN06A0 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 62A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13.5 毫欧 @ 62A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 115W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB13AN06A0DKR |
Typical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted
1.4
V GS = V DS , I D = 250 μ A
1.2
I D = 250 μ A
1.2
1.1
1.0
0.8
1.0
0.6
0.4
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0.9
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
3000
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
10
V DD = 30V
1000
C ISS = C GS + C GD
8
C OSS ? C DS + C GD
6
C RSS = C GD
4
WAVEFORMS IN
100
2
DESCENDING ORDER:
I D = 62A
40
V GS = 0V, f = 1MHz
0
I D = 31A
0.1
1
10
60
0
5
10 15
20
25
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Current
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB13AN06A0 Rev. C2
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 86-1-S-VLT | TERMINAL NAILCLIP 10PK VIOLET |
| Q8P3BXXG24 | PANEL MNT LED INDICATOR GRN 24V |
| Q8R1CXXW12E | INDICATOR 12V 8MM RECESSED WHT |
| ASFLMB-12.000MHZ-XY-T | OSC MEMS 12.000 MHZ SMD |
| NCP15XF101J03RC | THERMISTOR 100 OHM NTC 0402 SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB13AN06A0_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB14AN06L_F085 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 60A, 14.6mW |
| FDB14AN06LA0 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB14AN06LA0_F085 | 功能描述:MOSFET 60V N-CHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB14N30 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET |
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