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参数资料
| 型号： | FDB2552 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 37A TO-263AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 37A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 51nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDB2552DKR |
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT FDP2552 2 1 3 ;
Ca 12 8 1e-9
Cb 15 14 1e-9
rev May 2002
LDRAIN
Cin 6 8 2.65e-9
Dbody 7 5 DbodyMOD
Dbreak 5 11 DbreakMOD
Dplcap 10 5 DplcapMOD
DPLCAP
10
RSLC2
5
RSLC1
51
DBREAK
RLDRAIN
DRAIN
2
Ebreak 11 7 17 18 178
5
51
ESLC
11
9
20
Eds 14 8 5 8 1
Egs 13 8 6 8 1
Esg 6 10 6 8 1
Evthres 6 21 19 8 1
Evtemp 20 6 18 22 1
It 8 17 1
GATE
1
LGATE
RLGATE
-
ESG
+
EVTEMP
RGATE + 18 -
22
6
8
6
EVTHRES
+ 19 -
8
50
RDRAIN
16
21
MMED
MSTRO
+
17
EBREAK 18
-
MWEAK
DBODY
Lgate 1 9 7.15e-9
Ldrain 2 5 1.0e-9
Lsource 3 7 2.3e-9
CIN
8
RSOURCE
7
LSOURCE
SOURCE
3
RLSOURCE
RLgate 1 9 71.5
RLdrain 2 5 10
RLsource 3 7 23
12
S1A
13
8
S2A
14
13
15
17
RBREAK
18
Mmed 16 6 8 8 MmedMOD
Mstro 16 6 8 8 MstroMOD
Mweak 16 21 8 8 MweakMOD
CA
S1B
13
+
EGS
6
8
S2B
CB
+
EDS
5
8
14
IT
RVTEMP
19
-
VBAT
+
Rbreak 17 18 RbreakMOD 1
Rdrain 50 16 RdrainMOD 2.5e-2
-
-
8
22
Rgate 9 20 1.04
RVTHRES
RSLC1 5 51 RSLCMOD 1.0e-6
RSLC2 5 50 1.0e3
Rsource 8 7 RsourceMOD 4.6e-3
Rvthres 22 8 RvthresMOD 1
Rvtemp 18 19 RvtempMOD 1
S1a 6 12 13 8 S1AMOD
S1b 13 12 13 8 S1BMOD
S2a 6 15 14 13 S2AMOD
S2b 13 15 14 13 S2BMOD
Vbat 22 19 DC 1
ESLC 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)/(1e-6*75),3))}
.MODEL DbodyMOD D (IS=2.6E-11 N=1.09 RS=2.6e-3 TRS1=3.0e-3 TRS2=1.5e-6
+ CJO=1.9e-9 M=0.62 TT=5.1e-8 XTI=4.2)
.MODEL DbreakMOD D (RS=0.3 TRS1=3.0e-3 TRS2=-8.9e-6)
.MODEL DplcapMOD D (CJO=5.7e-10 IS=1.0e-30 N=10 M=0.58)
.MODEL MmedMOD NMOS (VTO=3.5 KP=6 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=1.04)
.MODEL MstroMOD NMOS (VTO=4.15 KP=80 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL MweakMOD NMOS (VTO=2.91 KP=0.03 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=10.4 RS=0.1)
.MODEL RbreakMOD RES (TC1=1.1e-3 TC2=-2e-6)
.MODEL RdrainMOD RES (TC1=8.5e-3 TC2=2.5e-5)
.MODEL RSLCMOD RES (TC1=3.4e-3 TC2=1.5e-6)
.MODEL RsourceMOD RES (TC1=4.0e-3 TC2=1.0e-6)
.MODEL RvthresMOD RES (TC1=-4.3e-3 TC2=-1.6e-5)
.MODEL RvtempMOD RES (TC1=-4.1e-3 TC2=1.5e-6)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-6.0 VOFF=-4.0)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-4.0 VOFF=-6.0)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-2 VOFF=-0.5)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-0.5 VOFF=-2)
.ENDS
Note: For further discussion of the PSPICE model, consult A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options ; IEEE Power Electronics Specialist Conference Records, 1991, written by William J. Hepp and C. Frank
Wheatley.
? 200 2 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP2552 Rev. C 1
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RL3004-2214-122-D1 | THERMISTOR NTC DISK 4KOHM 25C |
| RL3005-2768-122-D1 | THERMISTOR NTC DISK 5KOHM 25C |
| IRF6607 | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET |
| EZA-CT30AAAJ | RC NETWORK 100 OHM/10PF 5% SMD |
| 556-3709-304F | LED PNL MT 1" 230VAC WT DOME YLW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB2552_F085 | 功能描述:MOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB2570 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB2572 | 功能描述:MOSFET N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB2572_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB-25P | 制造商:Hirose 功能描述: |
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