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参数资料
| 型号： | FDB2552 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 37A TO-263AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 37A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 51nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDB2552DKR |
SPICE Thermal Model
REV 23 May 2002
FDP2552T
CTHERM1 TH 6 1e-2
CTHERM2 6 5 1.5e-2
th
JUNCTION
CTHERM3 5 4 2e-2
RTHERM1
CTHERM1
CTHERM4 4 3 2.1e-2
CTHERM5 3 2 2.2e-2
CTHERM6 2 TL 9e-2
6
RTHERM1 TH 6 2.7e-2
RTHERM2 6 5 2.8e-2
RTHERM3 5 4 7.8e-2
RTHERM4 4 3 9e-2
RTHERM2
CTHERM2
RTHERM5 3 2 2.7e-1
RTHERM6 2 TL 2.87e-1
5
SABER Thermal Model
SABER thermal model FDP2552T
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 =1e-2
ctherm.ctherm2 6 5 =1.5e-2
ctherm.ctherm3 5 4 =2e-2
ctherm.ctherm4 4 3 =2.1e-2
ctherm.ctherm5 3 2 =2.2e-2
ctherm.ctherm6 2 tl =9e-2
rtherm.rtherm1 th 6 =2.7e-2
rtherm.rtherm2 6 5 =2.8e-2
rtherm.rtherm3 5 4 =7.8e-2
rtherm.rtherm4 4 3 =9e-2
rtherm.rtherm5 3 2 =2.7e-1
RTHERM3
RTHERM4
RTHERM5
4
3
CTHERM3
CTHERM4
CTHERM5
rtherm.rtherm6 2 tl =2.87e-1
}
2
RTHERM6
tl
CASE
CTHERM6
? 200 2 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP2552 Rev. C 1
9
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RL3004-2214-122-D1 | THERMISTOR NTC DISK 4KOHM 25C |
| RL3005-2768-122-D1 | THERMISTOR NTC DISK 5KOHM 25C |
| IRF6607 | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET |
| EZA-CT30AAAJ | RC NETWORK 100 OHM/10PF 5% SMD |
| 556-3709-304F | LED PNL MT 1" 230VAC WT DOME YLW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB2552_F085 | 功能描述:MOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB2570 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB2572 | 功能描述:MOSFET N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB2572_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB-25P | 制造商:Hirose 功能描述: |
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