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参数资料
型号： FDB2552
厂商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 37A, 36mз
中文描述： 5 A, 150 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封装： TO-263AB, 3 PIN
文件页数： 8/11页
文件大小： 256K
代理商： FDB2552
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB2552 / FDP2552 Rev. B
F
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT FDP2552 2 1 3 ;
Ca 12 8 1e-9
Cb 15 14 1e-9
Cin 6 8 2.65e-9
rev May 2002
Dbody 7 5 DbodyMOD
Dbreak 5 11 DbreakMOD
Dplcap 10 5 DplcapMOD
Ebreak 11 7 17 18 178
Eds 14 8 5 8 1
Egs 13 8 6 8 1
Esg 6 10 6 8 1
Evthres 6 21 19 8 1
Evtemp 20 6 18 22 1
It 8 17 1
Lgate 1 9 7.15e-9
Ldrain 2 5 1.0e-9
Lsource 3 7 2.3e-9
RLgate 1 9 71.5
RLdrain 2 5 10
RLsource 3 7 23
Mmed 16 6 8 8 MmedMOD
Mstro 16 6 8 8 MstroMOD
Mweak 16 21 8 8 MweakMOD
Rbreak 17 18 RbreakMOD 1
Rdrain 50 16 RdrainMOD 2.5e-2
Rgate 9 20 1.04
RSLC1 5 51 RSLCMOD 1.0e-6
RSLC2 5 50 1.0e3
Rsource 8 7 RsourceMOD 4.6e-3
Rvthres 22 8 RvthresMOD 1
Rvtemp 18 19 RvtempMOD 1
S1a 6 12 13 8 S1AMOD
S1b 13 12 13 8 S1BMOD
S2a 6 15 14 13 S2AMOD
S2b 13 15 14 13 S2BMOD
Vbat 22 19 DC 1
ESLC 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)/(1e-6*75),3))}
.MODEL DbodyMOD D (IS=2.6E-11 N=1.09 RS=2.6e-3 TRS1=3.0e-3 TRS2=1.5e-6
+ CJO=1.9e-9 M=0.62 TT=5.1e-8 XTI=4.2)
.MODEL DbreakMOD D (RS=0.3 TRS1=3.0e-3 TRS2=-8.9e-6)
.MODEL DplcapMOD D (CJO=5.7e-10 IS=1.0e-30 N=10 M=0.58)
.MODEL MmedMOD NMOS (VTO=3.5 KP=6 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=1.04)
.MODEL MstroMOD NMOS (VTO=4.15 KP=80 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL MweakMOD NMOS (VTO=2.91 KP=0.03 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=10.4 RS=0.1)
.MODEL RbreakMOD RES (TC1=1.1e-3 TC2=-2e-6)
.MODEL RdrainMOD RES (TC1=8.5e-3 TC2=2.5e-5)
.MODEL RSLCMOD RES (TC1=3.4e-3 TC2=1.5e-6)
.MODEL RsourceMOD RES (TC1=4.0e-3 TC2=1.0e-6)
.MODEL RvthresMOD RES (TC1=-4.3e-3 TC2=-1.6e-5)
.MODEL RvtempMOD RES (TC1=-4.1e-3 TC2=1.5e-6)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-6.0 VOFF=-4.0)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-4.0 VOFF=-6.0)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-2 VOFF=-0.5)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-0.5 VOFF=-2)
.ENDS
Note: For further discussion of the PSPICE model, consult
A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options
; IEEE Power Electronics Specialist Conference Records, 1991, written by William J. Hepp and C. Frank
Wheatley.
18
22
+
-
6
8
+
-
5
51
+
-
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8
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-
17
18
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5
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-
RBREAK
RVTEMP
19
VBAT
RVTHRES
IT
17
18
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S1A
S1B
S2A
S2B
CA
CB
EGS
EDS
14
8
13
8
14
13
MWEAK
EBREAK
DBODY
RSOURCE
SOURCE
3
11
7
LSOURCE
RLSOURCE
CIN
RDRAIN
EVTHRES
16
21
8
MMED
MSTRO
DRAIN
2
LDRAIN
RLDRAIN
DBREAK
DPLCAP
ESLC
RSLC1
51
10
5
50
RSLC2
1
GATE
RGATE
EVTEMP
9
ESG
LGATE
RLGATE
20
+
-
+
6
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参数描述
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FDB-25P 制造商:Hirose 功能描述:
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