- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录415 > FDB3652_F085 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDB3652_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 13/Aug/2010 |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 61A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 61A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 53nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2880pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Test Circuits and Waveforms
V DS
BV DSS
L
t P
V DS
VARY t P TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I AS
R G
+
V DD
I AS
V DD
V GS
DUT
-
0V
t P
I AS
0.01 ?
0
t AV
Figure 15. Unclamped Energy Test Circuit
V DS
Figure 16. Unclamped Energy Waveforms
V DD
Q g(TOT)
V GS
L
+
V DD
Q gs2
V DS
V GS
V GS = 10V
-
DUT
I g(REF)
V GS = 2V
0
Q g(TH)
I g(REF)
0
Q gs
Q gd
Figure 17. Gate Charge Test Circuit
Figure 18. Gate Charge Waveforms
V DS
R L
V DS
t ON
t d(ON)
90%
t r
t OFF
t d(OFF)
t f
90%
V GS
+
-
V DD
0
10%
10%
R GS
DUT
90%
V GS
50%
50%
V GS
0
10%
PULSE WIDTH
Figure 19. Switching Time Test Circuit
Figure 20. Switching Time Waveforms
?200 8 Fairchild Semiconductor Corporation
6
FDB3652 _F085 Rev. A 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB3672_F085 | MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK |
| FDB3860 | MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK |
| FDB390N15A | MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK |
| FDB44N25TM | MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK |
| FDB52N20TM | MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB3652SB82059 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| FDB3672 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB3672_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 100V, 44A, 28m?? |
| FDB3672_F085 | 功能描述:MOSFET 100V 44A N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB3682 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel Pwr Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。