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参数资料
| 型号： | FDB3860 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 产品目录绘图： | D2PAK, TO-263AB Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 37 毫欧 @ 5.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1740pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDB3860DKR |
March 2009
FDB3860
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
100 V, 30 A, 37 m ?
Features
Max r DS(on) = 37 m ? at V GS = 10 V, I D = 5.9 A
High performance trench technology for extremely low r DS(on)
100% UIL tested
RoHS Compliant
D
G
General Description
This N-Channel MOSFET is rugged gate version of Fairchild
Semiconductor‘s advanced Power Trench ? process. This part is
tailored for low r DS(on) and low Qg figure of merit, with avalanche
ruggedness for a wide range of switching applications.
Applications
DC-AC Conversion
Synchronous Rectifier
D
G
S
TO-263AB
FDB Series
MOSFET Maximum Ratings T C = 25 °C unless otherwise noted
S
Symbol
V DS
V GS
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous (Silicon limited)
T C = 25 °C
Ratings
100
±20
30
Units
V
V
I D
-Continuous
T A = 25 °C
(Note 1a)
6.4
A
-Pulsed
60
E AS
Single Pulse Avalanche Energy
(Note 3)
96
mJ
P D
Power Dissipation
Power Dissipation
T C = 25 °C
T A = 25 °C
(Note 1a)
71
3.1
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
1.75
40
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDB3860
Device
FDB3860
Package
TO-263AB
Reel Size
330 mm
Tape Width
24 mm
Quantity
800 units
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB3860 Rev . C
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB390N15A | MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK |
| FDB44N25TM | MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK |
| FDB52N20TM | MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK |
| FDB5800_F085 | MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK |
| FDB6030L | MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB38N30U | 功能描述:MOSFET N-Channel UniFETTM Ultra FRFETTM MOSFET 300V, 38A, 120m RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB390N15A | 功能描述:MOSFET 150V NCHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB-4 | 功能描述:化学物质 YELLOWCAP 10/PACK RoHS:否 制造商:3M Electronic Specialty 产品:Adhesives 类型:Epoxy Compound 大小:1.7 oz 外壳:Plastic Tube |
| FDB4020P | 功能描述:MOSFET P-Ch Spec Enhance MODE FIELD EFFECT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB4025 | 制造商:Eaton Corporation 功能描述:FDB 40C BKR |
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