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参数资料
| 型号： | FDB3860 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 产品目录绘图： | D2PAK, TO-263AB Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 37 毫欧 @ 5.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1740pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDB3860DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
5000
8
I D = 5.9 A
V DD = 25 V
V DD = 50 V
V DD = 75 V
1000
C iss
6
C oss
4
2
100
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
0
5
10
15
20
25
10
0.1
1
10
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
10
8
6
35
28
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
4
T J = 25 o C
21
V GS = 10 V
3
R θ JC = 1.75 C/W
2
T J = 125 o C
T J = 100 o C
14
7
o
1
0.01
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
10
100
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
5
10
4
V GS = 10 V
10
10
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
100 us
3
SINGLE PULSE
R θ JC = 1.75 o C/W
T C = 25 o C
R θ JC = 1.75 C/W
10
1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
o
T C = 25 o C
1 ms
10 ms
DC
2
10
10
10
10
10
10
0.1
0.1
1
10
100
300
10
-6
-5
-4
-3
-2
-1
1
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB3860 Rev . C
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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