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参数资料
| 型号： | FDB5800_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 13/Aug/2010 |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 135nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6625pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 242W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
November 2013
F DB5800
N-Channel Logic Level PowerTrench ? MOSFET
6 0 V, 80 A, 6 m Ω
Features
? R DS(on) = 4.6 m ? (Typ.), V GS = 10 V, I D = 80 A
? High Performance Trench Technology for Extermly
Low R DS(on)
? Low Gate Charge
? High Power and Current Handing Capability
? RoHs Compliant
Description
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor’s advanced PowerTrench ? process
that has been tailored to minimize the on-state
resistance while maintaining superior switching
performance.
Applications
? Power tools
? Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
D
D
G
S
D 2 -PAK
G
S
= 25 C unless otherwise noted.
Absolute Maximum Ratings T
C
o
- Continuous (T C < 90 C, V GS = 5 V)
Symbol
V DSS
V GS
I D
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current
- Continuous (T C < 102 o C, V GS = 10 V)
o
- Continuous (T amb = 25 o C, V GS = 10V, with R θ JA = 43 o C/W)
- Pulsed
FDB5800
60
± 20
80
80
14
Figure 4
Unit
V
V
A
A
A
A
C
E AS
P D
T J , T STG
Single Pulse Avalanche Energy
- Power Dissipation
- Derate above 25 o C
- Operating and Storage Temperature
(Note 1)
652
242
1.61
-55 to 175
mJ
W
W/ o C
o
Thermal Characteristics
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263, 1in copper pad area
C/W
R θ JC
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance Junction to Case TO-263, Max.
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263, Max. ( Note 2)
2
0.62
62.5
43
o C/W
o C/W
o
?200 5 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB5800 Rev. C2
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB600 | 制造商:DEC 制造商全称:DEC 功能描述:6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
| FDB601 | 制造商:DEC 制造商全称:DEC 功能描述:6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
| FDB602 | 制造商:DEC 制造商全称:DEC 功能描述:6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
| FDB6021P | 功能描述:MOSFET P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB6021P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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