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参数资料
| 型号： | FDB5800_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 13/Aug/2010 |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 135nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6625pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 242W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted
1.4
1.2
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V GS = V DS
I D = 250 μ A
1.1
1.0
0.9
I D = 250 μ A
- 80
- 40
0 40 80 120
T J , AMBIENT TEMPERATURE ( o C)
160
200
- 80
- 40
0 40 80 120
T J , AMBIENT TEMPERATURE ( o C)
160
200
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
20000
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
10
10000
1000
C ISS
C OSS
8
6
4
VDD =30V
WAVEFORMS IN
f = 1MHz
V GS = 0V
C RSS
2
ASCENDING ORDER:
ID = 80A
ID = 1A
100
0.1
1
10
100
0
0
20
40
60
80
100
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Current
?200 5 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB5800 Rev. C2
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB6030L | MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK |
| FDB6670AL | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
| FDB8132 | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
| FDB8160 | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB600 | 制造商:DEC 制造商全称:DEC 功能描述:6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
| FDB601 | 制造商:DEC 制造商全称:DEC 功能描述:6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
| FDB602 | 制造商:DEC 制造商全称:DEC 功能描述:6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
| FDB6021P | 功能描述:MOSFET P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB6021P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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