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参数资料
| 型号： | FDB3652 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | D2PAK, TO-263AB Pkg MOSFET TO-3P Pkg MOSFET TO-3P(N) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 61A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 61A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 53nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2880pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB3652DKR |
Test Circuits and Waveforms
V DS
BV DSS
L
t P
V DS
VARY t P TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I AS
R G
+
V DD
I AS
V DD
V GS
DUT
-
0V
t P
I AS
0.01 ?
0
t AV
Figure 15. Unclamped Energy Test Circuit
V DS
Figure 16. Unclamped Energy Waveforms
V DD
Q g(TOT)
V GS
L
+
V DD
Q gs2
V DS
V GS
V GS = 10V
-
DUT
I g(REF)
V GS = 2V
0
Q g(TH)
I g(REF)
0
Q gs
Q gd
Figure 17. Gate Charge Test Circuit
Figure 18. Gate Charge Waveforms
V DS
R L
V DS
t ON
t d(ON)
90%
t r
t OFF
t d(OFF)
t f
90%
V GS
+
-
V DD
0
10%
10%
R GS
DUT
90%
V GS
50%
50%
V GS
0
10%
PULSE WIDTH
Figure 19. Switching Time Test Circuit
Figure 20. Switching Time Waveforms
? 2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP3652 / FDB3652 Rev. C0
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3FD-228 | TRANSFORMER DUAL 14VAC .08A |
| A774 | 6'SIL TUBING COMBUSTION ANALYZER |
| IXTX32P60P | MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247 |
| 3FS-248 | TRANSFORMER SINGLE 24VAC .046A |
| 3FS-236 | TRANSFORMER SINGLE 18VAC .06A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB3652 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDB3652_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 100V, 61A, 16m?? |
| FDB3652_F085 | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Trench Mos. RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB3652_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB3652SB82059 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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