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参数资料
| 型号： | FDB3672 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 44A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1710pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 120W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Test Circuits and Waveforms
V DS
L
I AS
t P
BV DSS
V DS
VARY t P TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I AS
V GS
R G
DUT
+
-
V DD
V DD
0V
t P
I AS
0
0.01 ?
t AV
Figure 15. Unclamped Energy Test Circuit
Figure 16. Unclamped Energy Waveforms
V DS
V DD
Q g(TOT)
V DS
L
V GS = 10V
V GS
+
DUT
-
V DD
V GS
V GS = 2V
I g(REF)
0
Q g(TH)
I g(REF)
0
Q gs2
Q gs
Q gd
Figure 17. Gate Charge Test Circuit
Figure 18. Gate Charge Waveforms
V DS
R L
V DS
t ON
t d(ON)
90%
t r
t OFF
t d(OFF)
t f
90%
V GS
+
-
V DD
0
10%
10%
R GS
DUT
90%
V GS
50%
PULSE WIDTH
50%
V GS
Figure 19. Switching Time Test Circuit
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
0
10%
Figure 20. Switching Time Waveforms
FDB3672_F085 Rev. A
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参数描述 |
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