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参数资料
| 型号： | FDB3682 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 32A TO-263AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 32A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 95W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDB3682FSDKR |
October 2013
FDP3682
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
1 0 0 V, 3 2 A, 3 6 m Ω
Features
? R DS(on) = 32 m ? ( Typ.) @ V GS = 10 V, I D = 32 A
? Q G(tot) = 18.5 nC ( Typ.) @ V GS = 10 V
? Low Miller Charge
? Low Q rr Body Diode
? UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Applications
? Consumer Appliance s
? Synchronous Rectificatio n
? Battery Protection Circui t
? Motor drives and Uninterruptible Power Supplie s
? Micro Solar Inverte r
Formerly developmental type 82 755
D
GD
S
TO-220
G
S
MOSFET Maximum Ratings T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter r
FDP368 2
100
± 20
U nit
V
V
Drain Current
Continuous (T C = 25 o C, V GS = 10V)
32
A
I D
E AS
P D
T J , T STG
Continuous (T C = 100 o C, V GS = 10V)
Continuous (T amb = 25 o C, V GS = 10V, R θ JA = 43 o C/W)
Pulsed
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)
Power dissipation
Derate above 25 o C
Operating and Storage Temperature
23
6
Figure 4
55
95
0.63
-55 to 175
A
A
A
mJ
W
W/ o C
o C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance Junction to Case TO-220, Max.
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220 (Note 2), Max.
1. 58
62
o
o
C/W
C/W
? 200 2 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP3682 Rev. C2
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 7C-33.3330MBB-T | OSC 33.3330 MHZ 3.3V SMD |
| AV34349 | SWITCH FS HINGE LEVER SILVER PCB |
| TC1047VNBTR | IC TEMP-VOLT CONV PREC SOT-23B |
| AV34329-A | SWITCH FS HINGE LEVER SILVER PCB |
| TC6501P105VCTTR | IC TEMP SWITCH OD 105C SOT23-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB-37PF | 制造商:HRS 制造商全称:HRS 功能描述:FD TYPE CONNECTOR FOR RIBBON CABLE |
| FDB-37SF | 制造商:HRS 制造商全称:HRS 功能描述:FD TYPE CONNECTOR FOR RIBBON CABLE |
| FDB3860 | 功能描述:MOSFET 100/20V N Chan PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB38N30U | 功能描述:MOSFET N-Channel UniFETTM Ultra FRFETTM MOSFET 300V, 38A, 120m RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB390N15A | 功能描述:MOSFET 150V NCHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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