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参数资料
| 型号： | FDB3682 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 32A TO-263AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 32A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 95W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDB3682FSDKR |
SPICE Thermal Model
REV 20 May 2002
FDB3682_JC TH TL
CTHERM1 TH 6 1.6e-3
CTHERM2 6 5 4.5e-3
th
JUNCTION
CTHERM3 5 4 5.0e-3
RTHERM1
CTHERM1
CTHERM4 4 3 8.0e-3
CTHERM5 3 2 8.2e-3
CTHERM6 2 TL 4.7e-2
6
RTHERM1 TH 6 3.3e-2
RTHERM2 6 5 7.9e-2
RTHERM3 5 4 9.5e-2
RTHERM4 4 3 1.4e-1
RTHERM2
CTHERM2
RTHERM5 3 2 2.9e-1
RTHERM6 2 TL 6.7e-1
5
SABER Thermal Model
SABER thermal model FDB3682
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 =1.6e-3
ctherm.ctherm2 6 5 =4.5e-3
ctherm.ctherm3 5 4 =5.0e-3
ctherm.ctherm4 4 3 =8.0e-3
ctherm.ctherm5 3 2 =8.2e-3
ctherm.ctherm6 2 tl =4.7e-2
rtherm.rtherm1 th 6 =3.3e-2
rtherm.rtherm2 6 5 =7.9e-2
rtherm.rtherm3 5 4 =9.5e-2
rtherm.rtherm4 4 3 =1.4e-1
rtherm.rtherm5 3 2 =2.9e-1
rtherm.rtherm6 2 tl =6.7e-1
RTHERM3
RTHERM4
RTHERM5
4
3
CTHERM3
CTHERM4
CTHERM5
}
2
RTHERM6
tl
CASE
CTHERM6
? 200 2 Fairchild Semiconductor
Corporation FDP3682 Rev. C2
9
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 7C-33.3330MBB-T | OSC 33.3330 MHZ 3.3V SMD |
| AV34349 | SWITCH FS HINGE LEVER SILVER PCB |
| TC1047VNBTR | IC TEMP-VOLT CONV PREC SOT-23B |
| AV34329-A | SWITCH FS HINGE LEVER SILVER PCB |
| TC6501P105VCTTR | IC TEMP SWITCH OD 105C SOT23-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB-37PF | 制造商:HRS 制造商全称:HRS 功能描述:FD TYPE CONNECTOR FOR RIBBON CABLE |
| FDB-37SF | 制造商:HRS 制造商全称:HRS 功能描述:FD TYPE CONNECTOR FOR RIBBON CABLE |
| FDB3860 | 功能描述:MOSFET 100/20V N Chan PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB38N30U | 功能描述:MOSFET N-Channel UniFETTM Ultra FRFETTM MOSFET 300V, 38A, 120m RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB390N15A | 功能描述:MOSFET 150V NCHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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