参数资料
型号: FDB3682
厂商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: JFETs
英文描述: N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 32A, 36mз
中文描述: 6 A, 100 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封装: TO-263AB, 3 PIN
文件页数: 11/11页
文件大小: 278K
代理商: FDB3682
!"#$%"&'(%& %)'"%&'!%*$%('((!'&$$%
"'+'%,'*- %& ''.$'-'(
/
0!11 2
23451
23 4511 3 45
1 112
1 3
21 62
$$%+!%
!"'*%("&%%$%%(
7121
1121
21
11 23 2
$2
((
%
1
1112
2
123
1121
2 1
1
2 1
1 1
2
1 2
"
$
$
($
!"#!
$
%
&
'(
)
*
+
!0!$8!#!0!,8
0!,!0
+$!
,-./
,0
"
"
"!
"#!
1+#
!%
!
0
#23
#24
#25
(
(+
#
6%
6
7
'!
相关PDF资料
PDF描述
FDP39N20 DIODE ZENER SINGLE 350mW 16Vz 7.8mA-Izt 0.05 0.1uA-Ir 12 SOT-23 3K/REEL
FDP4020 P-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDP4020P P-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDB4020P P-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDP42AN15A0 N-Channel PowerTrench MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
FDB-37PF 制造商:HRS 制造商全称:HRS 功能描述:FD TYPE CONNECTOR FOR RIBBON CABLE
FDB-37SF 制造商:HRS 制造商全称:HRS 功能描述:FD TYPE CONNECTOR FOR RIBBON CABLE
FDB3860 功能描述:MOSFET 100/20V N Chan PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDB38N30U 功能描述:MOSFET N-Channel UniFETTM Ultra FRFETTM MOSFET 300V, 38A, 120m RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDB390N15A 功能描述:MOSFET 150V NCHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube