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参数资料
| 型号： | FDB6030L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 26A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1250pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 52W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
180
1.8
150
V GS = 10V
6.0V
5.0V
1.6
V GS = 3.5V
3.5V
120
4.5V
1.4
4.0V
90
60
4.0V
1.2
4.5V
5.0V
6.0V
30
3.5V
1
10V
3.0V
0
0.8
0
1
2
3
4
5
0
20
40
60
80
100
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.8
I D = 26A
V GS =10V
1.6
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.030
I D = 26A
0.025
1.4
0.020
1.2
1
0.8
0.6
0.015
0.010
0.005
T A = 25 o C
T A = 125 o C
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
-50
-25
0 25 50 75 100 125
o
150
175
2
4 6 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
90
V DS = 5V
75
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
1000
V GS = 0V
100
T A = 125 C
60
10
o
45
30
T A = 125 o C
-55 o C
1
0.1
25 o C
-55 o C
25 o C
15
0
0.01
0.001
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDP6030L/FDB6030L Rev E(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB6030L_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB6035AL | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB6035AL_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB6035L | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB603AL | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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