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参数资料
| 型号： | FDC5612 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 4.3A SSOT-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 4.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC5612DKR |
Typical Characteristics
20
V GS = 10V
1 .8
16
6.0V
5.0V
4.5V
4.0V
1 .6
V G S = 4 .0 V
12
1 .4
4 .5 V
5 .0 V
8
1 .2
6 .0 V
4
3.5V
1
8 .0 V
1 0V
0
0 .8
0
1
2
3
4
0
4
8
12
16
20
2
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
0.14
I D , D RA IN C U RR EN T (A )
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
T A = 125 C
1.8
1.6
1.4
I D = 4.3A
V GS = 10V
0.12
0.1
0.08
o
I D = 2.2A
1.2
1
0.06
T A = 25 C
0.8
0.6
0.4
0.04
0.02
0
o
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
T A = -55 C
25 C
20
V DS = 5V
o
o
100
V GS = 0V
125 C
T A = 125 C
16
o
10
1
o
25 C
-55 C
12
8
4
0
0.1
0.01
0.001
0.0001
o
o
1
2
3
4
5
6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
FDC5612 Rev. C2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7002 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 |
| MS-151/CF-MD | TOOL SLDR FIX FOR MS-151-C(LP) |
| 565P5P72 | CABLE STR MALE-MALE 5POS 6' |
| 553S3P144 | CBL STR FEMAL-R/A MALE 3POS 12' |
| DRD10E04 | SWITCH ROTARY DIP 10POS BCD SEAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC5612 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SUPERSOT-6 |
| FDC5612_04 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDC5612_F095 | 功能描述:MOSFET 60V 4.3A N-CH POWERTRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC5612NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin SuperSOT T/R |
| FDC5614 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
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