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参数资料
| 型号： | FDC5661N_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 6-SSOT |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 13/Aug/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 47 毫欧 @ 4.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 763pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MOSFET Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GS
I D
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current Continuous (V GS = 10V)
Pulsed
Ratings
60
±20
4.3
20
Units
V
V
A
P D Power Dissipation
T J , T STG Operating and Storage Temperature
Thermal Characteristics
1.6
-55 to +150
W
o C
R θ JC
Thermal Resistance Junction to Case
30
o
C/W
R θ JA
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263,
1in 2
copper pad area
78
o C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
.661N
Device
FDC5661N_F085
Package
SSOT - 6
Reel Size
7”
Tape Width
8mm
Quantity
3000 units
Electrical Characteristics T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
B VDSS
Drain to Source Breakdown Voltage
I D = 250 μ A, V GS = 0V
60
-
-
V
I DSS
I GSS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current
V DS = 48V,
V GS = 0V
V GS = ±20V
T A = 150 o C
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
μ A
nA
On Characteristics
V GS(th)
Gate to Source Threshold Voltage
V GS = V DS , I D = 250 μ A
1
2.0
3
V
I D = 4.3A, V GS = 10V
-
38
47
r DS(on)
Drain to Source On Resistance
I D = 4A, V GS = 4.5V
I D = 4.3A, V GS = 10V
T J = 150 o C
-
-
46
69
60
86
m Ω
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
R G
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
V DS = 25V, V GS = 0V,
f = 1MHz
f = 1MHz
-
-
-
-
763
68
36
2.6
-
-
-
-
pF
pF
pF
Ω
Q g(TOT)
Q gs
Q gd
Total Gate Charge at 10V
Gate to Source Gate Charge
Gate to Drain “Miller“ Charge
V GS = 0 to 10V
V DD = 30V
I D = 4.3A
-
-
-
14.5
2.4
2.9
19
-
-
nC
nC
nC
FDC5661N_F085 Rev. A
2
www.fairchildsemi.com
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