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参数资料
| 型号： | FDC608PZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 5.8A SSOT-6 |
| 产品变化通告： | Design/Process Change 11/May/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 5.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1330pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC608PZDKR |
June 2006
FDC608PZ
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench ? MOSFET
tm
General Description
Features
This P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced
using Fairchild Semiconductor’s advanced
PowerTrench process that has been especially tailored
? –5.8 A, –20 V.
R DS(ON) = 30 m ? @ V GS = –4.5 V
R DS(ON) = 43 m ? @ V GS = –2.5 V
to minimize the on-state resistance and yet maintain
low gate charge for superior switching performance.
These devices are well suited for battery power
applications: load switching and power management,
? Low Gate Charge
? High performance trench technology for extremely
low R DS(ON)
battery power circuits, and DC/DC conversions.
? SuperSOT
TM
–6 package: small footprint (72%
smaller than standard SO–8 ) low profile (1mm thick).
D
D
S
1
6
2
5
SuperSOT -6
TM
D
D
G
3
4
Absolute Maximum Ratings
T A =25 o C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
–20
± 12
Units
V
V
I D
Drain Current
– Continuous
(Note 1a)
–5.8
A
– Pulsed
–20
P D
Maximum Power Dissipation
(Note 1a)
1.6
W
(Note 1b)
0.8
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
78
30
° C/W
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
.608Z
Device
FDC608PZ
Reel Size
7’’
Tape width
8mm
Quantity
3000 units
? 2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC608PZ Rev B (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC610PZ | MOSFET P-CH 30V 4.9A SSOT-6 |
| FDC6301N | IC FET DGTL N-CH DUAL 25V SSOT6 |
| FDC6302P | MOSFET P-CH DUAL 25V SSOT6 |
| FDC6303N | IC FET DGTL N-CH DUAL 25V SSOT6 |
| FDC6304P | MOSFET P-CH DUAL 25V SSOT-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC610PZ | 功能描述:MOSFET -30V P-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC610PZ | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P CHANNEL MOSFET -30V 4.9mA |
| FDC610PZ_G | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR |
| FDC6301 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel , Digital FET |
| FDC6301N | 功能描述:MOSFET SSOT-6 N-CH 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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