- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录415 > FDC608PZ (Fairchild Semiconductor)MOSFET P-CH 20V 5.8A SSOT-6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDC608PZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 5.8A SSOT-6 |
| 产品变化通告： | Design/Process Change 11/May/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 5.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1330pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC608PZDKR |
Typical Characteristics
20
V GS = -4.5V
-2.5V
2.6
V GS = -2.0V
-3.5V
-3.0V
2.2
15
1.8
10
-2.0V
1.4
-2.5V
5
1
-3.0V
-3.5V
-4.0V
-4.5V
0
0.6
0
0.5
1 1.5 2 2.5
3
0
5
10
15
20
T A = 125 C
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
I D = -5.8A
V GS = -4.5V
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.1
I D = -2.9A
0.08
0.06
o
0.04
T A = 25 o C
0.02
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
-50
-25
0 25 50 75 100
o
125
150
0
2 4 6 8
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
20
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
V DS = -5V
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
V GS = 0V
10
15
1
10
0.1
T A = -55 C
125 C
5
o
o
0.01
T A = 125 o C
25 o C
25 o C
0.001
-55 o C
0
0.0001
0
0.5
1 1.5 2 2.5
3
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
1.4
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDC608PZ Rev B (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC610PZ | MOSFET P-CH 30V 4.9A SSOT-6 |
| FDC6301N | IC FET DGTL N-CH DUAL 25V SSOT6 |
| FDC6302P | MOSFET P-CH DUAL 25V SSOT6 |
| FDC6303N | IC FET DGTL N-CH DUAL 25V SSOT6 |
| FDC6304P | MOSFET P-CH DUAL 25V SSOT-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC610PZ | 功能描述:MOSFET -30V P-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC610PZ | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P CHANNEL MOSFET -30V 4.9mA |
| FDC610PZ_G | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR |
| FDC6301 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel , Digital FET |
| FDC6301N | 功能描述:MOSFET SSOT-6 N-CH 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。