- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录415 > FDC602P_F095 (Fairchild Semiconductor)MOSFET P-CH 20V 5.5A 6SSOT Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDC602P_F095 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 5.5A 6SSOT |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 5.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1456pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
5
2000
I D = -5.5A
V DS =-5.0V
-10V
C ISS
f = 1 MHz
V GS = 0 V
4
3
2
1
0
-15V
1600
1200
800
400
0
C OSS
C RSS
0
3
6
9
12
15
18
0
5
10
15
20
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
50
-V D S , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
R DS(ON) LIMIT
100 μ s
SINGLE PULSE
R θ J A
10
1ms
10ms
40
T A
100ms
1
10s
1s
30
DC
V GS = -4.5V
0.1
SINGLE PULSE
R θ JA = 156 o C/W
20
T A = 25 o C
0.01
0.1
1
10
100
10
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
R θ J A (t) = r(t) + R θ J A
R θ J A = 156 o C/W
P(pk)
0.01
0.01
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ J A (t)
0.001
SINGLE PULSE
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDC602P Rev C(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC604P | MOSFET P-CH 20V 5.5A SSOT-6 |
| FDC606P | MOSFET P-CH 12V 6A SSOT-6 |
| FDC608PZ | MOSFET P-CH 20V 5.8A SSOT-6 |
| FDC610PZ | MOSFET P-CH 30V 4.9A SSOT-6 |
| FDC6301N | IC FET DGTL N-CH DUAL 25V SSOT6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC6036P | 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC6036P_F077 | 功能描述:MOSFET Trans P-Ch 20V 5A 6-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC604 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDC60-48D05 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:60 WATTS OUTPUT POWER |
| FDC60-48D12 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:60 WATTS OUTPUT POWER |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。