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参数资料
| 型号： | FDC602P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 5.5A SSOT-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 5.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1456pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC602PDKR |
Typical Characteristics
5
2000
I D = -5.5A
V DS =-5.0V
-10V
C ISS
f = 1 MHz
V GS = 0 V
4
3
2
1
0
-15V
1600
1200
800
400
0
C OSS
C RSS
0
3
6
9
12
15
18
0
5
10
15
20
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
50
-V D S , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
R DS(ON) LIMIT
100 μ s
SINGLE PULSE
R θ J A
10
1ms
10ms
40
T A
100ms
1
10s
1s
30
DC
V GS = -4.5V
0.1
SINGLE PULSE
R θ JA = 156 o C/W
20
T A = 25 o C
0.01
0.1
1
10
100
10
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
R θ J A (t) = r(t) + R θ J A
R θ J A = 156 o C/W
P(pk)
0.01
0.01
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ J A (t)
0.001
SINGLE PULSE
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDC602P Rev C(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VLMW712T2T3QN-GS08 | LED 1W PWR WARM WHT 6X6 SMD |
| DK553 | LCD DPM +5V 20V 3.5 DIGIT -AMBER |
| DK432 | LCD DPM +5V 2V 3.5 DIGIT -GREEN |
| OVTL01LGAB | LED BLUE CLEAR 1W FLUSH SMD |
| ACA-20PC-1-AC1-RL-C | AMMETER LED 85-264VAC 2A RED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC602P_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET |
| FDC602P_F095 | 功能描述:MOSFET -20V -5.5A P-CH POWERTRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC602P-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDC602P Series 20 V 35 mOhms P-Channel 2.5 V PowerTrench Specified Mosfet SSOT-6 |
| FDC6036P | 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC6036P_F077 | 功能描述:MOSFET Trans P-Ch 20V 5A 6-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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