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参数资料
| 型号： | FDD390N15ALZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 26A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 42 毫欧 @ 26A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 39nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1760pF @ 75V |
| 功率 - 最大： | 63W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
1000
100
V GS = 10.0V
5.5V
5.0V
4.5V
100
*Notes:
1. V DS = 10V
2. 250 ? s Pulse Test
4.0V
150 C
3.5V
3.0V
o
25 C
-55 C
10
1
*Notes:
1. 250 ? s Pulse Test
10
o
o
2. T C = 25 C
0.1
0.05
0.1
1
o
10
1
1
2 3 4 5
6
V DS , Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
100
V GS , Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
200
150 C
100
80
o
25 C
60
V GS = 4.5V
10
o
40
V GS = 10V
*Notes:
*Note: T C = 25 C
20
0
20
40 60
80 100
o
1
0.2
1. V GS = 0V
2. 250 ? s Pulse Test
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
2000
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
1000
C iss
8
V DS = 30V
V DS = 75V
V DS = 120V
100
*Note:
1. V GS = 0V
C oss
6
4
10
2. f = 1MHz
Ciss = Cgs + Cgd (Cds = shorted)
C rss
2
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
2
0.1
1 10
100 200
0
0
4
*Note: I D = 26A
8 12 16
20
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD390N15ALZ Rev. C4
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD390N15A | MOSFET N-CH 150V 26A DPAK |
| FDD3N40TF | MOSFET N-CH 400V 2A DPAK |
| FDD3N50NZTM | MOSFET N-CH 500V DPAK |
| FDD4141 | MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK |
| FDD4243_F085 | MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD3N40 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET |
| FDD3N40TF | 功能描述:MOSFET 400V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD3N40TM | 功能描述:MOSFET 400V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD3N50NZ | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 500V, 2.5A, 2.5??? |
| FDD3N50NZTM | 功能描述:MOSFET UNIFET2 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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