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参数资料
| 型号： | FDD6685 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 11A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1715pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD6685DKR |
Typical Characteristics
40
2.4
V GS = -10V
-6.0V
-5.0V
-4.5V
-4.0V
2.2
V GS = -3.5V
30
2
1.8
-4.0V
20
-3.5V
1.6
1.4
-4.5V
-5.0V
10
0
-3.0V
1.2
1
0.8
-6.0V
-8.0V
-10V
0
1
2
3
0
2
4
6
8
10
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.6
I D = -11.0A
V GS = -10V
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.08
I D = -5.5A
1.4
0.06
1.2
T A = 125 C
T A = 25 C
1
0.8
0.6
0.04
0.02
0
o
o
-50
-25
0 25 50 75 100 125
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
150
175
2
4 6 8
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
40
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
125 C
V DS = -5V
T A = -55 o C
o
10
V GS = 0V
T A = 125 C
25 C
30
20
o
1
0.1
o
25 o C
-55 o C
0.01
10
0.001
0
0.0001
1
2
3
4
5
0
0.2
0.4
0.6 0.8
1
1.2
1.4
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDD6685 Rev D 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD6685 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDD6685_11 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V P-Channel PowerTrench?? MOSFET |
| FDD6688 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6688S | 功能描述:MOSFET 30V N-CH DPAK POWER TRENCH SYNCFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6690 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET |
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