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参数资料
| 型号： | FDD6796A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 20A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.7 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1780pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 3.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD6796ADKR |
March 2009
FDD6796A / FDU6796A_F071
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
25 V, 5.7 m ?
Features
Max r DS(on) = 5.7 m ? at V GS = 10 V, I D = 20 A
Max r DS(on) = 15.0 m ? at V GS = 4.5 V, I D = 15.2 A
100% UIL tested
General Description
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to
improve the overall efficiency of DC/DC converters using either
synchronous or conventional switching PWM controllers. It has
been optimized for low gate charge, low r DS(on) and fast
switching speed.
RoHS Compliant
Applications
Vcore DC-DC for Desktop Computers and Servers
VRM for Intermediate Bus Architecture
D
D
G
S
D-PAK
G
D
S
Short-Lead I-PAK
(TO-251AA)
G
S
(TO-252)
MOSFET Maximum Ratings T C = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous (Package limited)
T C = 25 °C
Ratings
25
±20
40
Units
V
V
I D
-Continuous (Silicon limited)
-Continuous
T C = 25 °C
T A = 25 °C
(Note 1a)
67
20
A
-Pulsed
150
E AS
Single Pulse Avalanche Energy
(Note 3)
40
mJ
P D
Power Dissipation
Power Dissipation
T C = 25 °C
T A = 25 °C
(Note 1a)
42
3.7
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +175
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
3.6
40
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDD6796A
FDU6796A
Device
FDD6796A
FDU6796A_F071
Package
D-PAK (TO-252)
TO-251AA
Reel Size
13 ’’
N/A(Tube)
Tape Width
12 mm
N/A
Quantity
2500 units
75 units
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD6796A / FDU6796A_F071 Rev.C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD6N20TM | MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK |
| FDD6N25TF | MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD6N20 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET |
| FDD6N20TF | 功能描述:MOSFET 200V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6N20TM | 功能描述:MOSFET 200V N Chanel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6N25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| FDD6N25TF | 功能描述:MOSFET 250V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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