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参数资料
| 型号： | FDD6796A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 20A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.7 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1780pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 3.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD6796ADKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
150
4
120
V GS = 10 V
V GS = 8 V
V GS = 6 V
V GS = 4.5 V
3
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 3.5 V
90
60
30
V GS = 4 V
V GS = 3.5 V
PULSE DURATION = 80 μ s
2
1
V GS = 4 V
V GS = 8 V
V GS = 4.5 V
V GS = 6 V
V GS = 10 V
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
30
60
90
120
150
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
1.8
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
20
1.6
1.4
1.2
I D = 20 A
V GS = 10 V
15
10
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I D = 20 A
T J = 150 o C
1.0
5
0.8
T J = 25 o C
0.6
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
150
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
200
100
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
120
90
V DS = 3 V
10
V GS = 0 V
T J = 175 o C
60
T J = 175 o C
1
T J = 25 o C
T J = -55 o C
30
0
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0.1
0
1
2
3
4
5
6
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD6796A / FDU6796A_F071 Rev.C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD6N20TM | MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK |
| FDD6N25TF | MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK |
| FDD6N50FTF | MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK |
| FDD6N50TM | MOSFET N-CH 500V 6A DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD6N20 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET |
| FDD6N20TF | 功能描述:MOSFET 200V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6N20TM | 功能描述:MOSFET 200V N Chanel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6N25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| FDD6N25TF | 功能描述:MOSFET 250V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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