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参数资料
| 型号： | FDD6N25TF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.1 欧姆 @ 2.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDD6N25TFDKR |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
* Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
* Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 2.2 A
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
0.8
-100
-50
0 50 100
o
150
200
0.0
-100
-50
0 50 100
o
150
200
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
5
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
10
1
100 μ s
1 ms
4
10
0
Operation in This Area
10 ms
100 ms
DC
3
is Limited by R DS(on)
2
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
-1
* Notes :
o
o
3. Single Pulse
1
10
10
10
10
-2
0
1
2
0
25
50
75
100
125
150
T C , Case Temperature [ C]
V DS , Drain-Source Voltage [V]
o
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
10
0
D = 0 .5
0 .2
0 .1
P DM
0 .0 5
t 1
t 2
10
-1
0 .0 2
1 . Z θ J C ( t) = 2 .5
C /W M a x .
0 .0 1
s in g le p u ls e
* N o te s :
o
2 . D u ty F a c to r , D = t 1 /t 2
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C ( t)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t 1 , S q u a r e W a v e P u ls e D u r a tio n [s e c ]
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD6N25 Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD6N50FTF | MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK |
| FDD6N50TM | MOSFET N-CH 500V 6A DPAK |
| FDD7N20TM | MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK |
| FDD7N60NZTM | MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3 |
| FDD8424H_F085 | MOSFET N/P-CH DUAL 40V DPAK-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD6N25TM | 功能描述:MOSFET 250V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6N50 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FDD6N50F | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15ヘ |
| FDD6N50FTF | 功能描述:MOSFET 500V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6N50FTM | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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