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参数资料
| 型号： | FDD86252 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 5A DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 52 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 985pF @ 75V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDD86252DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
30
4
25
20
V GS = 10 V
V GS = 6 V
V GS = 6.5 V
V GS = 5.5 V
3
V GS = 5 V
V GS = 5.5 V
15
10
V GS = 5 V
2
V GS = 6 V
1
5
0
0
1
2
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
3 4
5
0
0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
5 10 15
V GS = 6.5 V
20
V GS = 10 V
25
30
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
2.4
2.2
2.0
I D = 5 A
V GS = 10 V
250
200
I D = 5 A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.8
1.6
150
1.4
1.2
1.0
100
T J = 125 o C
0.8
0.6
50
T J = 25 o C
0.4
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
0
4
5
6 7 8 9
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
30
25
20
15
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V DS = 5 V
T J = 150 o C
30
10
1
0.1
V GS = 0 V
T J = 150 o C
T J = 25 o C
10
5
T J = 25 o C
0.01
T J = -55 o C
T J = -55 o C
0
2
3
4
5
6
7
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD86252 Rev.C2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD86326 | MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK |
| FDD8647L | MOSFET N-CH 40V 14A DPAK |
| FDD86540 | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3 |
| FDD8770 | MOSFET N-CH 25V 35A DPAK |
| FDD8780 | MOSFET N-CH 25V 35A TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD86326 | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8647L | 功能描述:MOSFET 40/20V Nch Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD86540 | 功能描述:MOSFET 60V 50A 4.1ohm NCh PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8750 | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8770 | 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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