- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录418 > FDD86540 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDD86540 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 21.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.1 毫欧 @ 21.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6340pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDD86540FSDKR |
February 2012
FDD86540
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
60 V, 50 A, 4.1 m Ω
Features
Max r DS(on) = 4.1 m Ω at V GS = 10 V, I D = 21.5 A
Max r DS(on) = 5 m Ω at V GS = 8 V, I D = 19.5 A
100% UIL tested
RoHS Compliant
General Description
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to
improve the overall efficiency and to minimize switch node
ringing of DC/DC converters using either synchronous or
conventional switching PWM controllers.It has been optimized
for low gate charge, low r DS(on) , fast switching speed and body
diode reverse recovery performance.
Applications
Primary Switch in isolated DC-DC
Synchronous Rectifier
Load Switch
D
D
G
D T O -2 52
S
-P A K
G
(T O -252)
S
MOSFET Maximum Ratings T C = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous (Package limited)
T C = 25 °C
Ratings
60
±20
50
Units
V
V
I D
-Continuous (Silicon limited)
-Continuous
T C = 25 °C
T A = 25 °C
(Note 1a)
136
21.5
A
-Pulsed
120
E AS
Single Pulse Avalanche Energy
(Note 3)
228
mJ
P D
Power Dissipation
Power Dissipation
T C = 25 °C
T A = 25 °C
(Note 1a)
127
3.1
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
0.98
40
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDD86540
Device
FDD86540
Package
D-PAK(TO-252)
Reel Size
13 ’’
Tape Width
12 mm
Quantity
2500 units
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD86540 Rev. C
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD8770 | MOSFET N-CH 25V 35A DPAK |
| FDD8780 | MOSFET N-CH 25V 35A TO-252AA |
| FDD8880 | MOSFET N-CH 30V 58A DPAK |
| FDD8N50NZTM | MOSFET N-CH 500V DPAK |
| FDFM2N111 | MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD8750 | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8770 | 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8778 | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8780 | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PwrTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8782 | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。