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参数资料
| 型号： | FDD86540 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 21.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.1 毫欧 @ 21.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6340pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDD86540FSDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
I D = 21.5 A
V DD = 20 V
10000
C iss
8
6
4
V DD = 30 V
V DD = 40 V
1000
100
C oss
C rss
2
f = 1 MHz
V GS = 0 V
0
0
10
20
30
40
50
60
70
10
0.1
1
10
60
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
R θ JC = 0.98 C/W
100
140
120
100
V GS = 10 V
o
10
T J = 25 o C
T J = 125 o C
T J = 100 o C
80
60
40
20
V GS = 8 V
Limited by Package
1
0.01
0.1
1
10
100 300
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
200
100
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
10000
SINGLE PULSE
R θ JC = 0.98 o C/W
T C = 25 o C
10
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JC = 0.98 o C/W
T C = 25 o C
100 μ s
1 ms
10 ms
DC
1000
10
10
10
10
10
0.1
0.1
1
10
100 200
100 -6
10
-5
-4
-3
-2
-1
1
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD86540 Rev. C
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD8770 | MOSFET N-CH 25V 35A DPAK |
| FDD8780 | MOSFET N-CH 25V 35A TO-252AA |
| FDD8880 | MOSFET N-CH 30V 58A DPAK |
| FDD8N50NZTM | MOSFET N-CH 500V DPAK |
| FDFM2N111 | MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD8750 | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8770 | 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8778 | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8780 | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PwrTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8782 | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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