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参数资料
| 型号： | FDD8782 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 35A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1220pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD8782DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
2
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
P DM
0.01
t 1
0.01
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
10
10
10
10
10
10
10
1E-3
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s)
Figure 13. Transient Thermal Response Curve
FDD8782/FDU8782 Rev. A1
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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