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参数资料
| 型号： | FDD8876 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 73A D-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 73A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.2 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1700pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 70W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
PSPICE Thermal Model
REV 23 January 2004
FDD8876T
CTHERM1 TH 6 7e-4
CTHERM2 6 5 9e-4
CTHERM3 5 4 2e-3
RTHERM1
th
JUNCTION
CTHERM1
CTHERM4 4 3 2.5e-3
CTHERM5 3 2 6e-3
CTHERM6 2 TL 1.1e-2
6
RTHERM1 TH 6 7.0e-2
RTHERM2 6 5 1.1e-1
RTHERM3 5 4 2.2e-1
RTHERM4 4 3 3.2e-1
RTHERM2
CTHERM2
RTHERM5 3 2 4.9e-1
RTHERM6 2 TL 5e-1
5
SABER Thermal Model
SABER thermal model FDD8876T
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 =7e-4
ctherm.ctherm2 6 5 =9e-4
ctherm.ctherm3 5 4 =2e-3
ctherm.ctherm4 4 3 =2.5e-3
ctherm.ctherm5 3 2 =6e-3
ctherm.ctherm6 2 tl =1.1e-2
rtherm.rtherm1 th 6 =7.0e-2
rtherm.rtherm2 6 5 =1.1e-1
rtherm.rtherm3 5 4 =2.2e-1
rtherm.rtherm4 4 3 =3.2e-1
rtherm.rtherm5 3 2 =4.9e-1
rtherm.rtherm6 2 tl =5e-1
RTHERM3
RTHERM4
RTHERM5
4
3
CTHERM3
CTHERM4
CTHERM5
}
2
?200 8 Fairchild Semiconductor Corporation
RTHERM6
tl
CASE
CTHERM6
FDD8876 / FDU8876 Rev. A 3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4TL1-50L | SWITCH TOGGLE ON-ON-MOM 4PDT |
| 11TW8-5 | SWITCH TOGGLE TW ON-OFF-MOM SPDT |
| CSTLS16M0X55-B0 | CER RESONATOR 16.0MHZ |
| FDD8882 | MOSFET N-CH 30V 55A D-PAK |
| 4TL1-31K | SWITCH TOGGLE TL ON-ON 4PDT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD8876_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDD8876_NL | 功能描述:MOSFET Trans MOS N-Ch 30V 15A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8878 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8880 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8880_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 58A, 9mヘ |
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