- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18067 > FDD8876 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 73A D-PAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | FDD8876 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 73A D-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 73A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.2 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1700pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 70W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T C = 25 ° C unless otherwise noted
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
V GS = V DS , I D = 250 μ A
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
I D = 250 μ A
-80
-40
0
40
80
120
160
200
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
5000
C ISS = C GS + C GD
1000
C OSS ? C DS + C GD
C RSS = C GD
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
10
V DD = 15V
8
6
4
WAVEFORMS IN
2
DESCENDING ORDER:
I D = 35A
100
V GS = 0V, f = 1MHz
0
I D = 5A
0.1
1
10
30
0
5
10 15 20
25
30
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
?200 8 Fairchild Semiconductor Corporation
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Current
FDD8876 / FDU8876 Rev. A 3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4TL1-50L | SWITCH TOGGLE ON-ON-MOM 4PDT |
| 11TW8-5 | SWITCH TOGGLE TW ON-OFF-MOM SPDT |
| CSTLS16M0X55-B0 | CER RESONATOR 16.0MHZ |
| FDD8882 | MOSFET N-CH 30V 55A D-PAK |
| 4TL1-31K | SWITCH TOGGLE TL ON-ON 4PDT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD8876_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDD8876_NL | 功能描述:MOSFET Trans MOS N-Ch 30V 15A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8878 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8880 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8880_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 58A, 9mヘ |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。