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参数资料
| 型号： | FDG313N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 950mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 450 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 480mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDG313NFSDKR |
Typical Characteristics
2
V GS = 4.5V
3.0V
2.5
2.5V
1.5
1
2.0V
2
1.5
V GS = 2.0V
2.5V
3.0V
0.5
1
3.5V
4.0V
4.5V
1.5V
0
0
1 2 3
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
4
0.5
0
0.5
1
I D , DRAIN CURRENT (A)
1.5
2
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
1.6
I D = 0.95 A
V GS = 4.5 V
1.6
I D = 0.5A
1.4
1.2
1.2
0.8
1
0.8
0.4
T A = 1 25°C
T A = 25°C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
1
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
1
V GS , GATE TO SOUR CE VOLT AGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
J
V DS = 5.0V
T = -55°C
25°C
V GS = 0V
0.8
125°C
0.1
T J = 125°C
25°C
0.6
0.4
0.2
0.01
0.001
-55°C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
FDG313N Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DLR1S22K-F | CAP FILM 0.022UF 100VDC RADIAL |
| 1TL1-61E | SWITCH TOGGLE SPST-NO OFF-MOM |
| 2TL1-1A | SWITCH TOGGLE ON-OFF-ON DPDT |
| DLR1S1K-F | CAP FILM 10000PF 100VDC RADIAL |
| K50-HC0CSE57.600 | OSCILLATOR 57.6000MHZ 5V SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG313N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDG313N_D87Z | 功能描述:MOSFET SC70-6 N-CH 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG314P | 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG314P_Q | 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG315 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
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