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参数资料
| 型号： | FDG6301N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN DUAL 25V SC70-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SC70-6 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 220mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 欧姆 @ 220mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9.5pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDG6301NDKR |
Typical Electrical Characteristics ( continued)
6
5
I D = 0.22A
V DS = 5V
10V
30
15
4
C iss
3
8
C oss
2
1
5
3
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
0
0.1
0.2 0.3 0.4
Q g , GATE CHARGE (nC)
0.5
0.6
2
0.1
0.3 1 3
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
25
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
1
50
Figure 8. Capacitance Characteristics .
10m
0m
0.3
0.1
RD
S(
O
N)
L
IM
IT
1s
10
s
s
40
30
SINGLE PULSE
R θ JA =415°C/W
T A = 25°C
10
s
20
V GS = 4.5V
DC
0.03
SINGLE PULSE
R θ JA = 415 °C/W
T A = 25°C
10
0.01
0.4
0.8
2
5
10
25
40
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
200
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
1
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.5
D = 0.5
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
0.2
0.1
0.05
0.2
0.1
0.05
P(pk)
R θ JA =415 °C/W
0.02
0.02
0.01
t 1
t 2
0.01
0.005
0.002
Single Pulse
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
200
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in note 1.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDG6301N Rev.E1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7002V | MOSF N CH DL 60V 280MA SOT-563F |
| 34CMSP41B2M6RT | TOG SMIN SPDT O-O-O RAH LF |
| 34CMSP12B4M7RT | TOG SMIN SPDT O-N-O N RAV LF |
| B32529C3154K | CAP FILM 0.15UF 250VDC RADIAL |
| 34CMSP12B4M6RT | TOG SMIN SPDT O-N-O N RAH LF |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG6301N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDG6301N_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel, Digital FET |
| FDG6301N_D87Z | 功能描述:MOSFET SC70-6 N-CH 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6301N_F085 | 功能描述:MOSFET Dual N-Chan Digital MOSFET; Automotive RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6301N_G | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:DUAL N-CH,25v,4000mohms, SC-70 |
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