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参数资料
| 型号： | FDG6320C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 220mA，140mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 欧姆 @ 220mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9.5pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDG6320CDKR |
Electrical Characteristics ( T A = 25 O C unless otherwise noted )
Symbol
Parameter
Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
BV DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
V GS = 0 V, I D = 250 μA
N-Ch
25
V
V GS = 0 V, I D = -250 μA
P-Ch
-25
? BV DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
I D = 250 μA, Referenced to 25 o C
N-Ch
25
mV/ o C
I D = -250 μA, Referenced to 25 o C
P-Ch
-19
I DSS
Zero Gate Voltage Drain Current
V DS = 20 V, V GS = 0 V,
N-Ch
1
μA
T J = 55°C
10
I DSS
Zero Gate Voltage Drain Current
V DS =-20 V, V GS = 0 V,
P-Ch
-1
μA
T J = 55°C
-10
I GSS
Gate - Body Leakage Current
V GS = 8 V, V DS = 0 V
V GS = -8 V, V DS = 0 V
N-Ch
P-Ch
100
-100
nA
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
V GS(th)
Gate Threshold Voltage
V DS = V GS , I D = 250 μA
N-Ch
0.65
0.85
1.5
V
V DS = V GS , I D = -250 μA
P-Ch
-0.65
-0.82
-1.5
? V GS(th) / ? T J
Gate Threshold Voltage Temp. Coefficient
I D = 250 μA, Referenced to 25 o C
N-Ch
-2.1
mV/ o C
I D = -250 μA, Referenced to 25 C
o
P-Ch
2.1
R DS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance
V GS = 4.5 V, I D = 0.22 A
N-Ch
2.6
4
?
V GS = 2.7 V, I D = 0.19 A
T J =125°C
5.3
3.7
7
5
V GS = -4.5 V, I D = -0.14 A
V GS = -2.7 V, I D = -0.05 A
T J =125°C
P-Ch
7.3
11
10.4
10
17
13
I D(ON)
On-State Drain Current
V GS = 4.5 V, V DS = 5 V
N-Ch
0.22
A
V GS = -4.5 V, V DS = -5 V
P-Ch
-0.14
g FS
Forward Transconductance
V DS = 5 V, I D = 0.22 A
N-Ch
0.2
S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
V DS = -5 V, I D = -0.14 A
P-Ch
0.12
C iss
Input Capacitance
N-Channel
N-Ch
9.5
pF
V DS = 10 V, V GS = 0 V,
P-Ch
12
C oss
C rss
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
f = 1.0 MHz
P-Channel
V DS = -10 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
6
7
1.3
1.5
FDG6320C Rev. D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG6320C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:25V 1/2 BR N/P 4/10 O SC70-6 |
| FDG6320C_D87Z | 功能描述:MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6321 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P Channel Digital FET |
| FDG6321C | 功能描述:MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6321C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
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