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参数资料
| 型号： | FDLL4150 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 112K |
| 描述： | DIODE 50V 200MA LL34 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 50V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 6ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 50V |
| 电容@ Vr, F： | 2.5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | MELF（LL-34） |
| 供应商设备封装： | LL-34 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDLL4150DKR |
FDLL4150 — Small Signal Diode
? 1997 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
FDLL4150 Rev. 1.1.0 2
Electrical Characteristics
Values are at TA
= 25
°C unless otherwise noted.
Symbol Parameter Test Conditions Min. Max. Units
BV
Breakdown Voltage IR
= 5.0
μA75V
IR
Reverse Current
VR
= 50 V 100 nA
VR
= 50 V, T
A
= 150
°C 100
μA
VF
Forward Voltage
IF
= 1.0 mA 540 620 mV
IF
= 10 mA 660 740 mV
IF
= 50 mA 760 860 mV
IF
= 100 mA 820 920 mV
IF
= 200 mA 0.87 1.0 V
CO
Diode Capacitance VR
= 0, f = 1.0 MHz 2.5 pF
trr
Reverse Recovery Time
IF
= I
R
= 10 mA - 200 mA, R
L
= 100
Ω
4.0 nS
IF
= I
R
= 200 mA - 400 mA, R
L
= 100
Ω
6.0 nS
TFR
Forward Recovery Time IF
= 200 mA, V
FR
= 1.0 V 10 nS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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