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参数资料
| 型号： | FDMC7572S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 40A POWER33 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 22.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.15 毫欧 @ 22.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 44nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2705pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP，Power33 |
| 供应商设备封装： | Power33 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMC7572SDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
8
I D = 22.5 A
3000
C iss
6
4
2
V DD = 10 V
V DD = 16 V
V DD = 13 V
1000
100 f = 1 MHz
V GS = 0 V
C oss
C rss
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
60
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
30
T J = 25 o C
120
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
T J = 100 o C
80
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
T J = 125 o C
40
R θ JC = 2.4 C/W
Limited by Package
o
1
0.01
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
200
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
2000
R θ JA = 125 C/W
T A = 25 C
100
10
1
0.1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
100 us
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
1000
100
10
1
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
o
o
10
10
10
10
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.5
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
FDMC7572S Rev.C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC7582 | MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN |
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| FDMC7660 | MOSFET N-CH 30V 20A 8-PQFN |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC7582 | 功能描述:MOSFET PT5 100V/20V NCH POWERTRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC7660 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC7660 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET Transistor |
| FDMC7660_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 30 V, 20 A, 2.2 m?? |
| FDMC7660DC | 功能描述:MOSFET 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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