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参数资料
| 型号： | FDMF6705V |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 14/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE DRMOS 40A 1000KHZ 40PQFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | XS™ DrMOS |
| 类型： | 高端/低端驱动器 |
| 输入类型： | PWM |
| 输出数： | 1 |
| 电流 - 峰值输出： | 40A |
| 电源电压： | 8 V ~ 15 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 40-PowerTFQFN |
| 供应商设备封装： | 40-PQFN（6x6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMF6705VDKR |
Application Information
Supply Capacitor Selection
For the supply input (VDRV), a local ceramic bypass
capacitor is required to have regulator stable and to
reduce noise. For the regulator output on VCIN, another
local ceramic bypass capacitor is needed to supply the
peak power MOSFET low-side gate current and boot
capacitor charging current. Use at least a 1μF, X7R or
X5R capacitors. Keep these capacitors close to the
FDMF6705V VDRV and VCIN pin and connect them to
GND plane with vias. Do not tie VDRV and VCIN pins
each other.
Bootstrap Circuit
The bootstrap circuit uses a charge storage capacitor
(C BOOT ), as shown in Figure 26. A bootstrap capacitance
of 100nF X7R or X5R capacitor is adequate. A series
bootstrap resistor would be needed for specific
applications to improve switching noise immunity.
Power Loss and Efficiency
Measurement and Calculation
Refer to Figure 26 for power loss testing method. Power
loss calculations are:
P IN =(V IN x I IN ) + (V DRV x I DRV ) (W)
P SW =V SW x I OUT (W)
P OUT =V OUT x I OUT (W)
P LOSS_MODULE =P IN - P SW (W)
P LOSS_BOARD =P IN - P OUT (W)
EFF MODULE =100 x P SW /P IN (%)
EFF BOARD =100 x P OUT /P IN (%)
V DRV
A
A
V IN
I DRV
C VDR
VDRV
C VCIN
VCIN
VIN
C VIN
I IN
DISB#
DISB#
R BOOT
CGND
PWM Input
OFF
ON
Open-Drain
Output
PWM
SMOD#
THWN
FDMF6705V
PGND
BOOT
VSWH
PHASE
V
C BOOT
V SW
L OUT
C OUT
I OUT
A
V OUT
? 2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMF6705V ? Rev. 1.0.2
Figure 26.
Power Loss Measurement Block Diagram
14
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMF6705 | MODULE DRMOS HI PERF HF POWER66 |
| FDMF6706B | MODULE DRMOS 45A 40-PQFN |
| FDMF6706C | MODULE DRMOS 40A 1000KHZ 40PQFN |
| FDMF6707B | MODULE DRMOS 50A 300KHZ 40PQFN |
| FDMF6707C | MODULE DRMOS 50A 40-PQFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMF6706B | 功能描述:功率驱动器IC Xtra-Small Hi-Perf Hi-Freq DrMOS Module RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| FDMF6706C | 功能描述:功率驱动器IC XS DrMOS; Hi-Freq Hi-Perf Module RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| FDMF6707B | 功能描述:功率驱动器IC XS DrMOS; Hi-Freq Hi-Perf Module RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| FDMF6707C | 功能描述:功率驱动器IC Xtra-Small Hi-Perf Hi-Freq DrMOS Module RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| FDMF6707V | 功能描述:功率驱动器IC Hi Performance, Hi Frequency DrMOS RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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