参数资料
型号: FDMF6705V
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 2/18页
文件大小: 0K
描述: MODULE DRMOS 40A 1000KHZ 40PQFN
标准包装: 1
系列: XS™ DrMOS
类型: 高端/低端驱动器
输入类型: PWM
输出数: 1
电流 - 峰值输出: 40A
电源电压: 8 V ~ 15 V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 40-PowerTFQFN
供应商设备封装: 40-PQFN(6x6)
包装: 标准包装
其它名称: FDMF6705VDKR
Typical Application Circuit
V CIN
V IN = 3V to15V
V DRV = 8V to 15 V
VDRV
THWN#
Temp
Sense
VIN
C VIN
5V
Linear
C VDRV
Reg .
D Boot
BOOT
VCIN
C VCI
HDRV
Q1
CGND
PHASE
L OUT
V OUT
PWM
Control
Enable
OFF
PWM
Control
V CIN
LDRV
Q2
VSWH
C OUT
Disabled
ON
SMOD #
DISB #
Figure 1.
CGND
PGND
Typical Application Circuit
DrMOS Block Diagram
VDRV
VCIN
BOOT
VIN
DISB#
V CC
UVLO
V IN
UVLO
5V
LDO
GH
Logic
D Boot
Level Shift
GH
Q1
HS Power
MOSFET
10μA
V CIN
R UP_PWM
Dead-Time
30k Ω
PHASE
Input
Control
VSWH
PWM
R DN_PWM
3-State
Logic
V CIN
GL
Logic
GL
THWN#
V CIN
30k Ω
Q2
LS Power
Temp.
Sense
10μA
MOSFET
CGND
SMOD#
PGND
? 2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMF6705V ? Rev. 1.0.2
Figure 2.
DrMOS Block Diagram
2
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
FDMF6706B 功能描述:功率驱动器IC Xtra-Small Hi-Perf Hi-Freq DrMOS Module RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
FDMF6706C 功能描述:功率驱动器IC XS DrMOS; Hi-Freq Hi-Perf Module RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
FDMF6707B 功能描述:功率驱动器IC XS DrMOS; Hi-Freq Hi-Perf Module RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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FDMF6707V 功能描述:功率驱动器IC Hi Performance, Hi Frequency DrMOS RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube