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参数资料
| 型号： | FDMS7650 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V POWER56 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 990 毫欧 @ 36A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 209nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 14965pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | 8-PQFN（5X6），Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMS7650DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
20000
8
I D = 36 A
10000
C iss
6
4
V DD = 10 V
V DD = 15 V
V DD = 20 V
1000
C oss
2
0
100
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
40
80
120
160
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
100
300
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
R θ JC = 1.2 C/W
o
V GS = 10 V
200
T J = 25 o C
10
T J = 125 o C
100
V GS = 4.5 V
Limited by Package
10
10
10
10
10
1
-3
-2
-1
1
10
2
3
0
25
50
75
100
125
150
T c , CASE TEMPERATURE ( C )
500
100
10
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
1 ms
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
1000
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
100
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
10 ms
100 ms
T A = 25 C
0.1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 125 o C/W
o
1s
10 s
DC
10
10
10
10
0.01
0.01
0.1
1
10
100200
1
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS7650 Rev.D3
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS7656AS | MOSFET N-CH 30V POWER56 |
| FDMS7658AS | MOSFET N-CH 30V POWER56 |
| FDMS7660AS | MOSFET N-CH 30V PWRSTAGE POWER56 |
| FDMS7660 | MOSFET N-CH 30V 25A POWER56 |
| FDMS7670AS | MOSFET N-CH 30V SYNCFET POWER56 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS7650_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 30 V, 100 A, 0.99 m?? |
| FDMS7650DC | 功能描述:MOSFET 30V N-Chnl Dual Cool Pwr Trench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7656AS | 功能描述:MOSFET PT7 30/20V Nch PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7658AS | 功能描述:MOSFET PT7 30/20V Nch PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7660 | 功能描述:MOSFET 30/20V Nch Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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