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参数资料
| 型号： | FDMS7656AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V POWER56 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 31A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.8 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 133nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8705pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PQFN，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
180
6
PULSE DURATION = 80 μ s
150
120
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
V GS = 4 V
V GS = 3.5 V
V GS = 3 V
5
4
V GS = 3 V
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
90
3
V GS = 3.5 V
60
30
0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
2
1
0
V GS = 4.5 V
V GS = 4 V
V GS = 10 V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
30
60
90
120
150
180
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
1.5
6
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
1.4
1.3
1.2
I D = 30 A
V GS = 10 V
4
I D = 30 A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.1
1.0
0.9
0.8
2
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.7
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
180
150
120
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V DS = 5 V
125 o C
T J =
200
100
10
1
V GS = 0 V
T J = 125 o C
90
60
30
0
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0.1
0.01
0.001
T J = 25 o C
T J = -55 o C
1
2
3
4
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
FDMS7656AS Rev.C
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS7658AS | MOSFET N-CH 30V POWER56 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS7658AS | 功能描述:MOSFET PT7 30/20V Nch PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7660 | 功能描述:MOSFET 30/20V Nch Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7660AS | 功能描述:MOSFET PT7 30/20V Nch PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7670 | 功能描述:MOSFET 30V 42A N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7670_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 30 V, 3.8 m?? |
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