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参数资料
| 型号： | FDMS7694 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V POWER56 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.5 毫欧 @ 13.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1410pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PQFN，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMS7694DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
2000
8
I D = 13.2 A
V DD = 15 V
1000
C iss
6
4
V DD = 10 V
V DD = 20 V
100
C oss
2
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
0
4
8
12
16
10
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
20
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
T J = 25 o C
T J = 100 o C
40
30
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
20
R θ JC = 4.5 C/W
T J = 125 o C
10
Limited by Package
o
1
0.01
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
100
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
500
10
100us
100
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
1ms
1
THIS AREA IS
10 ms
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
100 ms
1s
10
T A = 25 C
0.1
T J = MAX RATED
R θ JA = 125 o C/W
o
10 s
DC
1
10
10
10
10
0.01
0.01
0.1
1
10
100200
0.5
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
FDMS7694 Rev . C2
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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