- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录422 > FDMS86252 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 150V 16A POWER56 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMS86252 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 16A POWER56 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 51 毫欧 @ 4.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 905pF @ 75V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PQFN，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMS86252DKR |
August 2010
FDMS86252
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
150 V, 16 A, 51 m Ω
Features
Max r DS(on) = 51 m Ω at V GS = 10 V, I D = 4.6 A
Max r DS(on) = 70 m Ω at V GS = 6 V, I D = 3.9 A
Advanced package and silicon combination for low r DS(on) and
high efficiency
MSL1 robust package design
100% UIL tested
RoHS Compliant
General Description
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor’s advanced Power Trench ? process that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and
yet maintain superior switching performance.
Application
DC-DC Conversion
Top
Bottom
Pin 1
S
S
S
G
D
D
5
6
4
3
G
S
D
7
2
S
D
D
D
D
D
8
1
S
Power 56
MOSFET Maximum Ratings T A = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous (Package limited)
T C = 25 °C
Ratings
150
±20
16
Units
V
V
I D
-Continuous (Silicon limited)
-Continuous
T C = 25 °C
T A = 25 °C
(Note 1a)
24
4.6
A
-Pulsed
20
E AS
Single Pulse Avalanche Energy
(Note 3)
50
mJ
P D
Power Dissipation
Power Dissipation
T C = 25 °C
T A = 25 °C
(Note 1a)
69
2.5
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
1.8
50
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDMS86252
Device
FDMS86252
Package
Power 56
Reel Size
13 ’’
Tape Width
12 mm
Quantity
3000 units
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS86252 Rev.C
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS86300DC | MOSFET N CH 80V 24A 8-PQFN |
| FDMS86300 | MOSFET N-CH 80V 19A POWER56 |
| FDMS86310 | MOSFET N-CH 80V 17A 8-PQFN |
| FDMS86320 | MOSFET N-CH 80V 10.5A 8-PQFN |
| FDMS86322 | MOSFET N-CH 80V 60A LL POWER56 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS86252L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 150V 8-MLP 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TAPE REEL / 150/20V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDMS86300 | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86300DC | 功能描述:MOSFET 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86310 | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86320 | 功能描述:MOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。