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参数资料
| 型号： | FDP030N06 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 120A TO220 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.2 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 151nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9815pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 231W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
1.1
1.0
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
2.0
1.5
1.0
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.9
-100
*Notes:
1. V GS = 0V
2. I D = 10mA
-50 0 50 100 150 200
o
0.5
-100
*Notes:
1. V GS = 10V
2. I D = 75A
-50 0 50 100 150 200
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
1000
100 μ s
100
1ms
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
200
150
T C = 25 C
10
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
SINGLE PULSE
o
10ms
100ms
DC
100
50
Limited by package
T J = 175 C
o
R θ JC = 0.65 C/W
T C , Case Temperature [ C ]
0.1
0.1
o
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
100
0
25
50 75 100 125 150
o
175
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
1
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
P DM
0.01
0.02
0.01
*Notes:
t 1
t 2
1. Z θ JC (t) = 0.65 C/W Max.
Single pulse
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
10
10
10
10
10
1
0.001
-5
-4
-3
-2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
-1
10
1 ,
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP030N06 Rev. C2
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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