型号: | FDP060AN08A0 |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 6.0mз |
中文描述: | 80 A, 75 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
封装: | TO-220AB, 3 PIN |
文件页数: | 4/11页 |
文件大小: | 252K |
代理商: | FDP060AN08A0 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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FDB060AN08A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 6.0mз |
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FDP120AN15A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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FDP060AN08A0 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 75V, 80A TO-220AB |
FDP060AN08A0_Q | 功能描述:MOSFET 75V 80a .6Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDP070AN06A0 | 功能描述:MOSFET N-Channel PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDP075N15A | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 130A TO-220-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:PowerTrench® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
FDP075N15A_F102 | 功能描述:MOSFET 150V NChan PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |