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参数资料
| 型号： | FDP12N50NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET-II™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 520 毫欧 @ 5.75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1235pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 170W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
150 C
25 C
30
10
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5V
6.0 V
5.5 V
50
10
o
o
-55 C
1
1
o
2. T C = 25 C
0.1
0.1
1
*Notes:
1. 250 ? s Pulse Test
o
10
20
0.1
3
4
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 ? s Pulse Test
5 6 7 8 9
10
150 C
V DS , Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
1.0
0.9
0.8
V GS , Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
100
o
25 C
0.7
10
o
0.6
0.5
V GS = 10V
*Notes:
*Note: T C = 25 C
0.4
0
6
V GS = 20V
12 18
24
o
30
1
0.4
1. V GS = 0V
2. 250 ? s Pulse Test
0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
2500
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
10
2000
1500
Crss = Cgd
*Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
8
6
V DS = 100V
V DS = 250V
V DS = 400V
C iss
1000
4
500
C rss
C oss
2
0
0.1
1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
10
30
0
0
5
*Note: I D = 11.5A
10 15 20
Q g , Total Gate Charge [nC]
25
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP12N50NZ / FDPF12N50NZ Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP12N60NZ | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220 |
| FDP13AN06A0 | MOSFET N-CH 60V 62A TO-220AB |
| FDP150N10A | MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3 |
| FDP150N10 | MOSFET N-CH 100V 57A TO-220 |
| FDP15N40 | MOSFET N-CH 400V 15A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP12N60NZ | 功能描述:MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP13AN06A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mз |
| FDP13AN06A0 | 功能描述:MOSFET 60V 62a 0.0135 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP13AN06A0_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| FDP13N40 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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