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参数资料
| 型号： | FDP12N50NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET-II™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 520 毫欧 @ 5.75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1235pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 170W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics (Continued)
Figure 12. Transient Thermal Response Curve - FDP12N50NZ
5
1
0.5
0.1
0.2
0.1
P DM
0.05
0.02
0.01
t 1
t 2
1. Z ? JC (t) = 0.73 C/W Max.
0.01
Single pulse
* Notes :
o
2. Duty Factor, D=t 1 /t 2
10
10
10
10
10
1
0.001
-5
-4
-3
-2
3. T JM - T C = P DM * Z ? JC (t)
-1
10
Rectangular Pulse Duration [sec]
t 1 , Square Wave Pulse Duration [sec]
Figure 13. Transient Thermal Response Curve - FDPF12N50NZ
5
1
D=0.5
0.2
0.1
P DM
10
-1
0.05
0.02
*Notes:
t 1
t 2
1. Z ? JC (t) = 3.0 C/W Max.
0.01
o
2. Duty Factor, D = t 1 /t 2
10
10
10
10
10
10
1
-2
-5
single pulse
-4
-3
-2
3. T JM - T C = P DM * Z ? JC (t)
-1
10
1 ,
t 1 , t Square Wave Pulse Duration [sec]
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP12N50NZ / FDPF12N50NZ Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP12N60NZ | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220 |
| FDP13AN06A0 | MOSFET N-CH 60V 62A TO-220AB |
| FDP150N10A | MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3 |
| FDP150N10 | MOSFET N-CH 100V 57A TO-220 |
| FDP15N40 | MOSFET N-CH 400V 15A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP12N60NZ | 功能描述:MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP13AN06A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mз |
| FDP13AN06A0 | 功能描述:MOSFET 60V 62a 0.0135 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP13AN06A0_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| FDP13N40 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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