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参数资料
| 型号： | FDP150N10 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 57A TO-220 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 57A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 49A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 69nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4760pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 110W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
150 C
25 C
500
100
10
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
1000
100
10
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
o
o
*Notes:
2. T C = 25 C
-55 C
1. 250 μ s Pulse Test
o
o
2
0.02
0.1 1
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
10
1
3
4
5 6 7
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
8
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
30
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
500
150 C
25 C
25
20
V GS = 10V
100
o
o
*Note: T C = 25 C
15
10
V GS = 20V
o
10
*Notes:
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
5
0
100 200
300
1
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
1.6
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
5000
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
4000
3000
C iss
C oss
*Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
8
6
V DS = 25V
V DS = 50V
V DS = 80V
2000
1000
C rss
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
4
2
*Note: I D = 49A
0
0.1
1 10
30
0
0
10
20 30 40 50
60
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP150N10 Rev. C3
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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