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参数资料
| 型号： | FDP150N10 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 57A TO-220 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 57A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 49A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 69nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4760pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 110W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.15
1.10
1.05
1.00
*Notes:
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
2.4
2.0
1.6
1.2
0.95
1. V GS = 0V
2. I D = 250uA
0.8
*Notes:
1. V GS = 10V
2. I D = 49A
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.90
-100
-50 0 50 100 o 150
200
0.4
-100
-50 0 50 100 150
o
200
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
500
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
70
100
100 μ s
60
50
T C = 25 C
T J = 150 C
R θ JC = 1.13 C/W
10
1
0.1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
SINGLE PULSE
o
o
o
1ms
100ms
10ms
DC
40
30
20
10
50 75 100 o
0.01
1
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
100
0
25
T C , Case Temperature [ C]
125
150
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
2
1
0.5
0.2
P DM
1. Z θ JC (t) = 1.13 C/W Max.
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
Single pulse
t 1
t 2
*Notes:
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
10
10
10
10
10
0.01
-5
-4
-3
-2
-1
1
10
1 ,
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP150N10 Rev. C3
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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